近日，華為首席執行官任正非在接受《人民日報》采訪時，就大眾關心的芯片等熱點話題，與記者進行了面對面交流。其中，他對華為芯片技術現狀及中國芯片產業發展的觀點，引發廣泛關注。

當被問及昇騰芯片被 “警告” 使用風險對華為的影響時，任正非表示，美國夸大了華為的成績，華為還未達到美方評價的高度。目前華為單芯片仍落后美國一代，但通過 “數學補物理、非摩爾補摩爾，用群計算補單芯片” 的方式，在結果上能夠達到實用狀況。

從產業鏈角度看，在半導體全產業鏈，中國仍需多年攻關。華為輪值董事長徐直軍也曾指出，受美國制裁影響，中國半導體制造工藝在相當長時間處于落后狀態。此次任正非提及的 “落后一代”，應是對芯片設計、制造、封裝的綜合評價。若美國主流先進制程芯片為 3 納米，華為在完全自研層面，相當于具備 5 納米的實力。

雖然單芯片技術面臨挑戰，但這并不意味著無法解決高性能和智能算力問題。任正非提出的 “數學補物理”，即通過算法、軟件及軟硬件結合的工程創新，用次先進芯片實現系統級優化。例如，DeepSeek 的成果以及華為用自身集群和節點訓練出的盤古推理模型，都是有力證明。“非摩爾補摩爾” 指芯片系統性能改善已超越追求單位面積晶體管數量，通過新的封裝、架構等創新取代摩爾定律。而 “用群計算補單芯片”，像華為昇騰的 CloudMatrix 384，性能已相當于單芯片領先的英偉達 GB200 NVL72 節點。

談及中國芯片產業，任正非認為，中國在中低端芯片市場存在機會，眾多芯片公司發展良好。2024 年集成電路出口金額達 1595 億美元，成為出口額最高的單一商品，成熟制程芯片企業也積極出海。此外，化合物半導體(第三代半導體)在多領域應用前景廣闊，萬億級市場正在形成。

與此同時，正值中美經貿磋商機制首次會議在倫敦舉行，貿易談判中，中美在解除稀土與半導體出口管制方面的靈活性備受關注。而此前英偉達 CEO 黃仁勛對中國 AI 和芯片技術的評價，也從側面反映出中國創新的不可阻擋。

任正非對芯片問題的闡述，站在中國芯片產業全局高度，既坦誠面對現狀，又展現出解決問題的思路與信心。未來，中國芯片產業在眾多企業努力下，有望在全球競爭中取得更大突破 。